芯东西（公众号：aichip001）
作者 | 刘煜
编辑 | 陈骏达
芯东西7月7日报道，三星电子今日公布2026年第二季度业绩指引，根据韩国企业会计准则（K-IFRS）预计，其今年第二季度合并营收约为171万亿韩元（约合人民币7601.44亿元），同比增长约129.3%；合并营业利润约为89.4万亿韩元（约合人民币3974.08亿元），同比增长约1810.3%，超过市场预期。该公司此季度业绩电话会议将于7月30日举行。
三星电子该季度业绩增势迅猛，横向对比全球存储行业龙头该公司业绩优势突出。
今年6月，增长势头同样强劲的美光科技刚突破万亿美元市值，据其公布的2026财年第三季度财报，按美国通用会计准则（GAAP）口径统计，该季度美光实现营业利润333.18亿美元（约合人民币2264.4亿元）；而三星电子本季度披露的合并营业利润规模，远超美光这一最新财季业绩。
不过亮眼的业绩预期并未立刻带动股价走强。截至今日10点15左右，三星电子股价为29.55万韩元（约合人民币元1342.48元），下跌约7.08%，市值为2029.62万亿韩元（约合人民币9.02万亿元）。今年以来，该公司股价累计涨幅约182%。
三星电子业绩大幅回暖的支撑，部分来自该公司高端AI存储产品产品落地与持续技术迭代。
今年2月，三星电子HBM4已开始量产，并向客户发货商用产品；今年4月，三星电子存储业务执行副总裁金宰俊在该公司2026年第一季度财报电话会议上透露，三星电子现有HBM4产能已被全部预订，预计第三季度起HBM4营收占全部HBM业务收入比重将超过50%，全年HBM营收也将有一半来自HBM4。
HBM配套逻辑芯片需求释放，也带动三星电子晶圆代工业务迎来阶段性盈利。
据韩国半导体产业媒体BLOTER援引知情人士消息报道，三星电子晶圆代工事业部今年6月实现单月盈利，是2023年以来首次月度盈利；业内人士分析称，HBM基础裸片订单放量、4nm工艺良率显著提升，共同推动代工业务月度损益转正。
亮眼业绩背后，三星电子正持续加码下一代高端存储技术储备。
今年5月底，三星电子宣布其HBM4E样品已经开始向全球主要客户送样。该款产品可实现14Gbps的稳定引脚传输速率，性能最高可拓展至16Gbps。相较HBM4，其整体性能提升超20%，单堆栈内存带宽最高可达3.6TB/s。
工艺方面，该款HBM4E产品采用业界最先进的第六代10纳米级DRAM工艺（1c工艺），搭配三星电子晶圆代工4纳米逻辑基底芯片，可大幅提升HBM4E的工艺稳定性与量产可行性。
除HBM产品迭代外，三星电子在端侧AI移动存储领域也实现突破。
今年6月，三星电子宣布成功研发出业内速度最快的通用闪存存储（UFS 5.0）解决方案。三星UFS 5.0完全遵循JEDEC最新嵌入式存储接口规范，拥有行业顶尖传输带宽，峰值速率可达10.8GB/s。
这一新的存储方案可提供最高10.8GB/s的读取速度和最高达9.5GB/s的顺序写入速度，两项指标均为上一代UFS 4.1标准的2倍以上；同时，三星UFS 5.0的能效也得到提升，相较UFS 4.1能效提升超过40%。性能大幅提升后，端侧AI应用则可极速完成海量数据的存储与运算任务。
三星UFS 5.0采用超小型规格封装，整体尺寸仅7.5毫米×13毫米×0.9毫米，相比前代产品体积缩小16.7%。这一小巧的封装尺寸能提升手机、智能穿戴、XR设备等各类终端的内部空间利用率，给整机设计留出更高灵活度。
同时，三星电子计划于2026年第四季度启动UFS 5.0量产，将推出最高达1TB的多种容量版本，覆盖多类终端市场。
结语：龙头企业业绩显著受益，高端量产节奏或决定行业格局
当前，存储芯片供需持续紧张，三星电子作为存储芯片龙头之一直接受益，给出了亮眼的单季财报业绩预期。
在AI算力与端侧智能终端双重需求拉动下，存储行业形成高带宽内存、高速嵌入式闪存双线技术迭代趋势。未来，厂商高端存储产品的研发与量产进度，也将持续影响企业盈利表现与行业整体供需格局。
来源：三星电子官网、BLOTER
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